RB530SM-30T2R-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
RB530SM-30T2R-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流能力, 最大反向电压为30V。 其正向压降为0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为30μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达1A的峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能敏感的低功率电路, 如便携设备电源管理、信号整流及高频开关应用等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
60
货期
现货
RB530SM-30T2R-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 60 |
RB530SM-30T2R-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流能力, 最大反向电压为30V。 其正向压降为0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为30μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达1A的峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能敏感的低功率电路, 如便携设备电源管理、信号整流及高频开关应用等场景。
RB530SM-30T2R-HXY特性
暂无产品特性。
RB530SM-30T2R-HXY应用领域
暂无应用领域。
