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RB530SM-30T2R-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

RB530SM-30T2R-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流能力, 最大反向电压为30V。 其正向压降为0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为30μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达1A的峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能敏感的低功率电路, 如便携设备电源管理、信号整流及高频开关应用等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

60

货期

现货

RB530SM-30T2R-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存60

RB530SM-30T2R-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流能力, 最大反向电压为30V。 其正向压降为0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为30μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达1A的峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能敏感的低功率电路, 如便携设备电源管理、信号整流及高频开关应用等场景。

RB530SM-30T2R-HXY特性

暂无产品特性。

RB530SM-30T2R-HXY应用领域

暂无应用领域。

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