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RB521S30YL-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

RB521S30YL-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.5V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为30μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流达1A, 适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或信号处理场合。 由于其低VF与快速恢复特性, 常用于电源管理、电池保护及高频开关电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

60

货期

现货

RB521S30YL-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存60

RB521S30YL-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.5V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为30μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流达1A, 适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或信号处理场合。 由于其低VF与快速恢复特性, 常用于电源管理、电池保护及高频开关电路中。

RB521S30YL-HXY特性

暂无产品特性。

RB521S30YL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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