RB521S30T1G-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构， 额定正向电流（IF）为0.2A， 最大反向电压（VR）为30V。 其正向压降（VF）典型值为0.5V， 有助于降低功耗； 反向漏电流（IR）为30μA， 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM）， 适用于低电压整流、高频信号检波、电源极性保护及小型电子设备中的续流路径等应用场景。