RB520SM-30T2R-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
RB520SM-30T2R-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向电压(VR)能力。 其正向压降(VF)为0.6V, 在导通状态下能耗较低; 反向漏电流(IR)仅为1μA, 体现出优异的关断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适合应对短时过流情况。 这些参数使其适用于低功耗电源整流、信号解调、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率和静态功耗敏感的电子电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
3,050
货期
现货
RB520SM-30T2R-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3050 |
RB520SM-30T2R-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向电压(VR)能力。 其正向压降(VF)为0.6V, 在导通状态下能耗较低; 反向漏电流(IR)仅为1μA, 体现出优异的关断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适合应对短时过流情况。 这些参数使其适用于低功耗电源整流、信号解调、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率和静态功耗敏感的电子电路。
RB520SM-30T2R-HXY特性
暂无产品特性。
RB520SM-30T2R-HXY应用领域
暂无应用领域。
