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RB520SM-30T2R-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

RB520SM-30T2R-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向电压(VR)能力。 其正向压降(VF)为0.6V, 在导通状态下能耗较低; 反向漏电流(IR)仅为1μA, 体现出优异的关断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适合应对短时过流情况。 这些参数使其适用于低功耗电源整流、信号解调、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率和静态功耗敏感的电子电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

3,050

货期

现货

RB520SM-30T2R-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类肖特基二极管
库存3050

RB520SM-30T2R-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向电压(VR)能力。 其正向压降(VF)为0.6V, 在导通状态下能耗较低; 反向漏电流(IR)仅为1μA, 体现出优异的关断特性。 器件可承受高达1A的正向浪涌电流(IFSM), 适合应对短时过流情况。 这些参数使其适用于低功耗电源整流、信号解调、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率和静态功耗敏感的电子电路。

RB520SM-30T2R-HXY特性

暂无产品特性。

RB520SM-30T2R-HXY应用领域

暂无应用领域。

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