RB510SM-30T2R-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
RB510SM-30T2R-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具备0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.5V, 在导通状态下可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)为30μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件能承受最大1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
60
货期
现货
RB510SM-30T2R-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 60 |
RB510SM-30T2R-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具备0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.5V, 在导通状态下可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)为30μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件能承受最大1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。
RB510SM-30T2R-HXY特性
暂无产品特性。
RB510SM-30T2R-HXY应用领域
暂无应用领域。
