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RB510SM-30T2R-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

RB510SM-30T2R-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具备0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.5V, 在导通状态下可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)为30μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件能承受最大1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

60

货期

现货

RB510SM-30T2R-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存60

RB510SM-30T2R-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具备0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.5V, 在导通状态下可有效降低功耗; 反向漏电流(IR)为30μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件能承受最大1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。

RB510SM-30T2R-HXY特性

暂无产品特性。

RB510SM-30T2R-HXY应用领域

暂无应用领域。

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