RB411VAM-50TR-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
RB411VAM-50TR-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 正向压降低至0.45V, 有助于减少导通损耗。 在20V反向电压下, 漏电流为1000μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向浪涌电流可达25A, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换、极性保护及高频开关电路等应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
185
货期
现货
RB411VAM-50TR-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB411VAM-50TR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 正向压降低至0.45V, 有助于减少导通损耗。 在20V反向电压下, 漏电流为1000μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向浪涌电流可达25A, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换、极性保护及高频开关电路等应用场合。
RB411VAM-50TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB411VAM-50TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
