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RB411VAM-50TR-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

RB411VAM-50TR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 正向压降低至0.45V, 有助于减少导通损耗。 在20V反向电压下, 漏电流为1000μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向浪涌电流可达25A, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换、极性保护及高频开关电路等应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

185

货期

现货

RB411VAM-50TR-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB411VAM-50TR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 正向压降低至0.45V, 有助于减少导通损耗。 在20V反向电压下, 漏电流为1000μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向浪涌电流可达25A, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换、极性保护及高频开关电路等应用场合。

RB411VAM-50TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB411VAM-50TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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