RB298T100NZC9-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
RB298T100NZC9-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.82V, 在高电流工作时仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步工作的电路结构中, 兼顾效率与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
49
货期
现货
RB298T100NZC9-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
RB298T100NZC9-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.82V, 在高电流工作时仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步工作的电路结构中, 兼顾效率与稳定性。
RB298T100NZC9-HXY特性
暂无产品特性。
RB298T100NZC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
