库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
RB238T100HZC9-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

RB238T100HZC9-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为40A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.82V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达350A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

49

货期

现货

RB238T100HZC9-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存49

RB238T100HZC9-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为40A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.82V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达350A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关场景。

RB238T100HZC9-HXY特性

暂无产品特性。

RB238T100HZC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件