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RB228T-40NZC9-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

RB228T-40NZC9-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降为0.65V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换及续流保护等电路场合, 能有效支持高效率、低热耗的系统运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

49

货期

现货

RB228T-40NZC9-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存49

RB228T-40NZC9-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降为0.65V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换及续流保护等电路场合, 能有效支持高效率、低热耗的系统运行。

RB228T-40NZC9-HXY特性

暂无产品特性。

RB228T-40NZC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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