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RB225T100-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

RB225T100-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.82V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步续流功能的电路结构。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

48

货期

现货

RB225T100-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

RB225T100-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.82V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步续流功能的电路结构。

RB225T100-HXY特性

暂无产品特性。

RB225T100-HXY应用领域

暂无应用领域。

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