RB225T100-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
RB225T100-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.82V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步续流功能的电路结构。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
RB225T100-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
RB225T100-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.82V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、多路输出电源以及需要双通道同步续流功能的电路结构。
RB225T100-HXY特性
暂无产品特性。
RB225T100-HXY应用领域
暂无应用领域。
