RB225T-40NZC9-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
RB225T-40NZC9-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.65V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场合, 常见于开关电源、电源适配器及各类高频电路中, 能有效提升系统整体能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
49
货期
现货
RB225T-40NZC9-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
RB225T-40NZC9-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.65V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场合, 常见于开关电源、电源适配器及各类高频电路中, 能有效提升系统整体能效与可靠性。
RB225T-40NZC9-HXY特性
暂无产品特性。
RB225T-40NZC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
