RB218T100NZC9-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
RB218T100NZC9-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在保证高效导通的同时降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为100μA, 有助于提升系统能效与稳定性。 器件具备优异的浪涌承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达175A, 适用于对可靠性与效率要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
97
货期
现货
RB218T100NZC9-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 97 |
RB218T100NZC9-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在保证高效导通的同时降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为100μA, 有助于提升系统能效与稳定性。 器件具备优异的浪涌承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达175A, 适用于对可靠性与效率要求较高的电源整流、高频逆变及开关模式电源等应用场景。
RB218T100NZC9-HXY特性
暂无产品特性。
RB218T100NZC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
