RB218BM200FHTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RB218BM200FHTL-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有20A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.92V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 在浪涌条件下可承受高达150A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 此类结构适用于需要双路同步整流或极性保护的电源转换电路, 凭借较低的导通压降和良好的瞬态耐受能力, 有助于提升系统效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
91
货期
现货
RB218BM200FHTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 91 |
RB218BM200FHTL-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有20A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.92V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 在浪涌条件下可承受高达150A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 此类结构适用于需要双路同步整流或极性保护的电源转换电路, 凭借较低的导通压降和良好的瞬态耐受能力, 有助于提升系统效率与可靠性。
RB218BM200FHTL-HXY特性
暂无产品特性。
RB218BM200FHTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
