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RB218BM200FHTL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RB218BM200FHTL-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有20A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.92V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 在浪涌条件下可承受高达150A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 此类结构适用于需要双路同步整流或极性保护的电源转换电路, 凭借较低的导通压降和良好的瞬态耐受能力, 有助于提升系统效率与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

91

货期

现货

RB218BM200FHTL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存91

RB218BM200FHTL-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有20A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.92V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 在浪涌条件下可承受高达150A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 此类结构适用于需要双路同步整流或极性保护的电源转换电路, 凭借较低的导通压降和良好的瞬态耐受能力, 有助于提升系统效率与可靠性。

RB218BM200FHTL-HXY特性

暂无产品特性。

RB218BM200FHTL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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