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RB168MM100TR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RB168MM100TR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.84V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)仅为40μA, 表现出优异的反向阻断能力。 得益于肖特基结构的低开启电压与快速恢复特性, 该器件适用于对能效和响应速度有要求的整流、箝位及电源转换等电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

185

货期

现货

RB168MM100TR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB168MM100TR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.84V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)仅为40μA, 表现出优异的反向阻断能力。 得益于肖特基结构的低开启电压与快速恢复特性, 该器件适用于对能效和响应速度有要求的整流、箝位及电源转换等电子电路中。

RB168MM100TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB168MM100TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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