RB168MM100TR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RB168MM100TR-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.84V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)仅为40μA, 表现出优异的反向阻断能力。 得益于肖特基结构的低开启电压与快速恢复特性, 该器件适用于对能效和响应速度有要求的整流、箝位及电源转换等电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
185
货期
现货
RB168MM100TR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB168MM100TR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.84V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)仅为40μA, 表现出优异的反向阻断能力。 得益于肖特基结构的低开启电压与快速恢复特性, 该器件适用于对能效和响应速度有要求的整流、箝位及电源转换等电子电路中。
RB168MM100TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB168MM100TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
