RB168MM-60TFTR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RB168MM-60TFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为60V。 在正常导通条件下, 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为200μA, 表明具备良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换、信号检波及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOD-123FL
Stock
100
货期
现货
RB168MM-60TFTR-HXYParameters
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
RB168MM-60TFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为60V。 在正常导通条件下, 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为200μA, 表明具备良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换、信号检波及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。
RB168MM-60TFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RB168MM-60TFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
