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RB168MM-60TFTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RB168MM-60TFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为60V。 在正常导通条件下, 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为200μA, 表明具备良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换、信号检波及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

Brand

HXY MOSFET

Package

SOD-123FL

Stock

100

货期

现货

RB168MM-60TFTR-HXYParameters

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存100

RB168MM-60TFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为60V。 在正常导通条件下, 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为200μA, 表明具备良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换、信号检波及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

RB168MM-60TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB168MM-60TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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