RB168MM-40TR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RB168MM-40TR-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR不超过200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
95
货期
现货
RB168MM-40TR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 95 |
RB168MM-40TR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR不超过200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。
RB168MM-40TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB168MM-40TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
