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RB168MM-40TR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RB168MM-40TR-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR不超过200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

95

货期

现货

RB168MM-40TR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存95

RB168MM-40TR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR不超过200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

RB168MM-40TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB168MM-40TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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