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RB168MM-40TFTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RB168MM-40TFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)最大为200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

95

货期

现货

RB168MM-40TFTR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存95

RB168MM-40TFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)最大为200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。

RB168MM-40TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB168MM-40TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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