RB168LAM100TR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB168LAM100TR-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下维持较低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 展现出优异的反向截止性能。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于存在突发大电流的电路条件。 典型用途包括电源整流、高频开关电路中的续流路径以及直流供电系统的极性保护等。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RB168LAM100TR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB168LAM100TR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下维持较低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 展现出优异的反向截止性能。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于存在突发大电流的电路条件。 典型用途包括电源整流、高频开关电路中的续流路径以及直流供电系统的极性保护等。
RB168LAM100TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB168LAM100TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
