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RB168LAM100TR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB168LAM100TR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下维持较低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 展现出优异的反向截止性能。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于存在突发大电流的电路条件。 典型用途包括电源整流、高频开关电路中的续流路径以及直流供电系统的极性保护等。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RB168LAM100TR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB168LAM100TR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下维持较低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 展现出优异的反向截止性能。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于存在突发大电流的电路条件。 典型用途包括电源整流、高频开关电路中的续流路径以及直流供电系统的极性保护等。

RB168LAM100TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB168LAM100TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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