库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
RB168LAM-40TFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB168LAM-40TFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对能效和热性能有要求的电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RB168LAM-40TFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB168LAM-40TFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对能效和热性能有要求的电路场合。

RB168LAM-40TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB168LAM-40TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件