RB168L100DDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RB168L100DDTE25-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过100μA, 体现出优异的导通效率与低漏电特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
180
货期
现货
RB168L100DDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
RB168L100DDTE25-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过100μA, 体现出优异的导通效率与低漏电特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。
RB168L100DDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RB168L100DDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
