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RB168L100DDTE25-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RB168L100DDTE25-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过100μA, 体现出优异的导通效率与低漏电特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

180

货期

现货

RB168L100DDTE25-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

RB168L100DDTE25-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过100μA, 体现出优异的导通效率与低漏电特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。

RB168L100DDTE25-HXY特性

暂无产品特性。

RB168L100DDTE25-HXY应用领域

暂无应用领域。

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