RB168L-60TE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RB168L-60TE25-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于在导通状态维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出合理的阻断特性。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 可应对短时过流情况。 适用于电源整流、极性保护、高频开关及信号解调等电路场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
185
货期
现货
RB168L-60TE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB168L-60TE25-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于在导通状态维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出合理的阻断特性。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 可应对短时过流情况。 适用于电源整流、极性保护、高频开关及信号解调等电路场景。
RB168L-60TE25-HXY特性
暂无产品特性。
RB168L-60TE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
