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RB168L-60TE25-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RB168L-60TE25-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于在导通状态维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出合理的阻断特性。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 可应对短时过流情况。 适用于电源整流、极性保护、高频开关及信号解调等电路场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

RB168L-60TE25-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB168L-60TE25-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于在导通状态维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出合理的阻断特性。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 可应对短时过流情况。 适用于电源整流、极性保护、高频开关及信号解调等电路场景。

RB168L-60TE25-HXY特性

暂无产品特性。

RB168L-60TE25-HXY应用领域

暂无应用领域。

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