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RB162MM-60TR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RB162MM-60TR-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流为200μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件能承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流、信号解调及各类低压电子系统中, 凭借较低的导通压降和较快的恢复特性, 有助于提升整体电路效率与响应速度。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

420

货期

现货

RB162MM-60TR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存420

RB162MM-60TR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流为200μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件能承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流、信号解调及各类低压电子系统中, 凭借较低的导通压降和较快的恢复特性, 有助于提升整体电路效率与响应速度。

RB162MM-60TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB162MM-60TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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