RB162MM-60TR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RB162MM-60TR-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流为200μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件能承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流、信号解调及各类低压电子系统中, 凭借较低的导通压降和较快的恢复特性, 有助于提升整体电路效率与响应速度。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
420
货期
现货
RB162MM-60TR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 420 |
RB162MM-60TR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有1A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流为200μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件能承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流、信号解调及各类低压电子系统中, 凭借较低的导通压降和较快的恢复特性, 有助于提升整体电路效率与响应速度。
RB162MM-60TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB162MM-60TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
