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RB162M-60TR-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

RB162M-60TR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达60V。 其正向压降为0.72V, 在导通时维持较低的功耗; 反向漏电流为300μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达20A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源管理电路, 常见于消费类电子与通信设备中的高频开关应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

60

货期

现货

RB162M-60TR-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存60

RB162M-60TR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达60V。 其正向压降为0.72V, 在导通时维持较低的功耗; 反向漏电流为300μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达20A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源管理电路, 常见于消费类电子与通信设备中的高频开关应用。

RB162M-60TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB162M-60TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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