RB162LAM-40TFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB162LAM-40TFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和热管理有要求的低压电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RB162LAM-40TFTR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB162LAM-40TFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和热管理有要求的低压电路中。
RB162LAM-40TFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RB162LAM-40TFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
