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RB162LAM-40TFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB162LAM-40TFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和热管理有要求的低压电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RB162LAM-40TFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB162LAM-40TFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备以及对效率和热管理有要求的低压电路中。

RB162LAM-40TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB162LAM-40TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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