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RB162L-60TE25-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RB162L-60TE25-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态电流有一定要求的电路。 典型应用包括开关电源中的整流、信号箝位以及直流极性保护等场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

RB162L-60TE25-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB162L-60TE25-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态电流有一定要求的电路。 典型应用包括开关电源中的整流、信号箝位以及直流极性保护等场合。

RB162L-60TE25-HXY特性

暂无产品特性。

RB162L-60TE25-HXY应用领域

暂无应用领域。

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