RB160MM-40TR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RB160MM-40TR-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为200μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、信号箝位、极性保护及高频开关等电路应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
5
货期
现货
RB160MM-40TR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
RB160MM-40TR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为200μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、信号箝位、极性保护及高频开关等电路应用。
RB160MM-40TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB160MM-40TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
