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RB160MM-40TR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RB160MM-40TR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为200μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、信号箝位、极性保护及高频开关等电路应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

5

货期

现货

RB160MM-40TR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存5

RB160MM-40TR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为200μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、信号箝位、极性保护及高频开关等电路应用。

RB160MM-40TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB160MM-40TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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