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RB160LAM-40TR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB160LAM-40TR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其典型正向压降为0.55V, 在导通状态下可有效降低功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流承受能力, 适用于对效率和响应速度有要求的电路。 常见于开关电源、便携设备电源管理及高频整流等应用场合, 能够在有限空间内提供稳定可靠的整流性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

180

货期

现货

RB160LAM-40TR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

RB160LAM-40TR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其典型正向压降为0.55V, 在导通状态下可有效降低功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流承受能力, 适用于对效率和响应速度有要求的电路。 常见于开关电源、便携设备电源管理及高频整流等应用场合, 能够在有限空间内提供稳定可靠的整流性能。

RB160LAM-40TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB160LAM-40TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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