RB160LAM-40TFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB160LAM-40TFTR-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RB160LAM-40TFTR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB160LAM-40TFTR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
RB160LAM-40TFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RB160LAM-40TFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
