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RB160LAM-40TFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB160LAM-40TFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RB160LAM-40TFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB160LAM-40TFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

RB160LAM-40TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB160LAM-40TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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