RB088T-40NZC9-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
RB088T-40NZC9-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向平均电流为10A, 最大反向重复电压为45V。 其正向压降为0.65V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA。 器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于高效率电源转换、低压整流及续流保护等电路拓扑, 共阴极配置便于双路输出或桥式应用中的布线与集成。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
RB088T-40NZC9-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
RB088T-40NZC9-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 正向平均电流为10A, 最大反向重复电压为45V。 其正向压降为0.65V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA。 器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于高效率电源转换、低压整流及续流保护等电路拓扑, 共阴极配置便于双路输出或桥式应用中的布线与集成。
RB088T-40NZC9-HXY特性
暂无产品特性。
RB088T-40NZC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
