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RB088LAM-60TR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB088LAM-60TR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为60V。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件具备120A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于高频整流、开关电源次级侧以及对效率和热管理要求较高的电子设备中, 可在瞬态过载条件下维持可靠运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RB088LAM-60TR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB088LAM-60TR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为60V。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件具备120A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于高频整流、开关电源次级侧以及对效率和热管理要求较高的电子设备中, 可在瞬态过载条件下维持可靠运行。

RB088LAM-60TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB088LAM-60TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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