RB088LAM-60TR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB088LAM-60TR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为60V。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件具备120A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于高频整流、开关电源次级侧以及对效率和热管理要求较高的电子设备中, 可在瞬态过载条件下维持可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RB088LAM-60TR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB088LAM-60TR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为60V。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件具备120A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于高频整流、开关电源次级侧以及对效率和热管理要求较高的电子设备中, 可在瞬态过载条件下维持可靠运行。
RB088LAM-60TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB088LAM-60TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
