RB088LAM-40TFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB088LAM-40TFTR-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为5A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 在正常工作条件下维持良好的阻断性能。 器件具备高达150A的正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出端、电池保护电路及各类对效率和热性能敏感的电子系统中, 能够有效支持稳定可靠的运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
130
货期
现货
RB088LAM-40TFTR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 130 |
RB088LAM-40TFTR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为5A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 在正常工作条件下维持良好的阻断性能。 器件具备高达150A的正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出端、电池保护电路及各类对效率和热性能敏感的电子系统中, 能够有效支持稳定可靠的运行。
RB088LAM-40TFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RB088LAM-40TFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
