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RB088LAM-40TFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB088LAM-40TFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为5A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 在正常工作条件下维持良好的阻断性能。 器件具备高达150A的正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出端、电池保护电路及各类对效率和热性能敏感的电子系统中, 能够有效支持稳定可靠的运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

130

货期

现货

RB088LAM-40TFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存130

RB088LAM-40TFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为5A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 在正常工作条件下维持良好的阻断性能。 器件具备高达150A的正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出端、电池保护电路及各类对效率和热性能敏感的电子系统中, 能够有效支持稳定可靠的运行。

RB088LAM-40TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB088LAM-40TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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