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RB088BM200FHTL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RB088BM200FHTL-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为200V。 在正常工作条件下, 其正向压降为0.92V, 反向漏电流不超过50μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向电流可达100A。 此类配置常用于需要双路同步整流或电平箝位的电源电路中, 尤其适合空间受限且要求低导通损耗与高效率的场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

97

货期

现货

RB088BM200FHTL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存97

RB088BM200FHTL-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为200V。 在正常工作条件下, 其正向压降为0.92V, 反向漏电流不超过50μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向电流可达100A。 此类配置常用于需要双路同步整流或电平箝位的电源电路中, 尤其适合空间受限且要求低导通损耗与高效率的场合。

RB088BM200FHTL-HXY特性

暂无产品特性。

RB088BM200FHTL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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