RB088BM200FHTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RB088BM200FHTL-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为200V。 在正常工作条件下, 其正向压降为0.92V, 反向漏电流不超过50μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向电流可达100A。 此类配置常用于需要双路同步整流或电平箝位的电源电路中, 尤其适合空间受限且要求低导通损耗与高效率的场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
97
货期
现货
RB088BM200FHTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 97 |
RB088BM200FHTL-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为200V。 在正常工作条件下, 其正向压降为0.92V, 反向漏电流不超过50μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向电流可达100A。 此类配置常用于需要双路同步整流或电平箝位的电源电路中, 尤其适合空间受限且要求低导通损耗与高效率的场合。
RB088BM200FHTL-HXY特性
暂无产品特性。
RB088BM200FHTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
