RB088BM100TL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RB088BM100TL-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为10A, 最大反向电压VR达100V。 其正向压降VF典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
RB088BM100TL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
RB088BM100TL-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为10A, 最大反向电压VR达100V。 其正向压降VF典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中。
RB088BM100TL-HXY特性
暂无产品特性。
RB088BM100TL-HXY应用领域
暂无应用领域。
