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RB088BM100TL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RB088BM100TL-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为10A, 最大反向电压VR达100V。 其正向压降VF典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

90

货期

现货

RB088BM100TL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存90

RB088BM100TL-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流IF为10A, 最大反向电压VR达100V。 其正向压降VF典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流IR为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中。

RB088BM100TL-HXY特性

暂无产品特性。

RB088BM100TL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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