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RB068MM100TFTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RB068MM100TFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在100V反向电压下, 漏电流(IR)最大为20μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于电源适配器、开关电源及各类便携式电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

185

货期

现货

RB068MM100TFTR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB068MM100TFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在100V反向电压下, 漏电流(IR)最大为20μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于电源适配器、开关电源及各类便携式电子设备中。

RB068MM100TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB068MM100TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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