RB068MM-60TFTR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RB068MM-60TFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具备2A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、适配器及各类电子系统中的高频应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
130
货期
现货
RB068MM-60TFTR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 130 |
RB068MM-60TFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具备2A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的阻断性能。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、适配器及各类电子系统中的高频应用场合。
RB068MM-60TFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RB068MM-60TFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
