RB068LAM100TFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB068LAM100TFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)控制在20μA, 有助于维持电路的高效率运行。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。
Brand
HXY MOSFET
Package
SMAF
Stock
180
货期
现货
RB068LAM100TFTR-HXYParameters
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
RB068LAM100TFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)控制在20μA, 有助于维持电路的高效率运行。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。
RB068LAM100TFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RB068LAM100TFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
