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RB068LAM100TFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB068LAM100TFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)控制在20μA, 有助于维持电路的高效率运行。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。

Brand

HXY MOSFET

Package

SMAF

Stock

180

货期

现货

RB068LAM100TFTR-HXYParameters

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

RB068LAM100TFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)控制在20μA, 有助于维持电路的高效率运行。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。

RB068LAM100TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB068LAM100TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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