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RB068LAM-40TFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB068LAM-40TFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件在兼顾低VF与低IR的同时, 适用于对效率和静态功耗敏感的电路设计, 常见于电源整流、极性保护、高频续流以及便携式电子设备中的能量管理环节。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RB068LAM-40TFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB068LAM-40TFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件在兼顾低VF与低IR的同时, 适用于对效率和静态功耗敏感的电路设计, 常见于电源整流、极性保护、高频续流以及便携式电子设备中的能量管理环节。

RB068LAM-40TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB068LAM-40TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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