RB068LAM-40TFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB068LAM-40TFTR-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件在兼顾低VF与低IR的同时, 适用于对效率和静态功耗敏感的电路设计, 常见于电源整流、极性保护、高频续流以及便携式电子设备中的能量管理环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RB068LAM-40TFTR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB068LAM-40TFTR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件在兼顾低VF与低IR的同时, 适用于对效率和静态功耗敏感的电路设计, 常见于电源整流、极性保护、高频续流以及便携式电子设备中的能量管理环节。
RB068LAM-40TFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RB068LAM-40TFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
