RB068L100DDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RB068L100DDTE25-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式转换及高频电路等场景, 具备优良的热稳定性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
185
货期
现货
RB068L100DDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB068L100DDTE25-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式转换及高频电路等场景, 具备优良的热稳定性和可靠性。
RB068L100DDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RB068L100DDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
