RB068L-60DDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RB068L-60DDTE25-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达60V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为0.7V, 反向漏电流(IR)不超过500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗与良好的瞬态响应能力, 适用于开关电源、低压整流、高频续流及电源管理等电路场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
185
货期
现货
RB068L-60DDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB068L-60DDTE25-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达60V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为0.7V, 反向漏电流(IR)不超过500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗与良好的瞬态响应能力, 适用于开关电源、低压整流、高频续流及电源管理等电路场景。
RB068L-60DDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RB068L-60DDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
