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RB068L-60DDTE25-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RB068L-60DDTE25-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达60V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为0.7V, 反向漏电流(IR)不超过500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗与良好的瞬态响应能力, 适用于开关电源、低压整流、高频续流及电源管理等电路场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

RB068L-60DDTE25-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB068L-60DDTE25-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达60V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为0.7V, 反向漏电流(IR)不超过500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗与良好的瞬态响应能力, 适用于开关电源、低压整流、高频续流及电源管理等电路场景。

RB068L-60DDTE25-HXY特性

暂无产品特性。

RB068L-60DDTE25-HXY应用领域

暂无应用领域。

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