RB060LAM-40TR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB060LAM-40TR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件适用于对效率和热管理要求较高的整流、续流及电源转换场合, 凭借低VF与适中的耐压能力, 在紧凑型电子系统中可有效提升整体能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RB060LAM-40TR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB060LAM-40TR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件适用于对效率和热管理要求较高的整流、续流及电源转换场合, 凭借低VF与适中的耐压能力, 在紧凑型电子系统中可有效提升整体能效与可靠性。
RB060LAM-40TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB060LAM-40TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
