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RB058LAM100TR-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RB058LAM100TR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为300μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及高频续流等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

320

货期

现货

RB058LAM100TR-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存320

RB058LAM100TR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为300μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及高频续流等应用场景。

RB058LAM100TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB058LAM100TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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