RB058L150DDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RB058L150DDTE25-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 正向平均电流为3A, 反向重复峰值电压为150V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流最大为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换及各类对效率和热性能敏感的电子电路中, 有助于维持系统稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
80
货期
现货
RB058L150DDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 80 |
RB058L150DDTE25-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 正向平均电流为3A, 反向重复峰值电压为150V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流最大为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换及各类对效率和热性能敏感的电子电路中, 有助于维持系统稳定运行。
RB058L150DDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RB058L150DDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
