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RB058L150DDTE25-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RB058L150DDTE25-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 正向平均电流为3A, 反向重复峰值电压为150V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流最大为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换及各类对效率和热性能敏感的电子电路中, 有助于维持系统稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

80

货期

现货

RB058L150DDTE25-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存80

RB058L150DDTE25-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 正向平均电流为3A, 反向重复峰值电压为150V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流最大为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换及各类对效率和热性能敏感的电子电路中, 有助于维持系统稳定运行。

RB058L150DDTE25-HXY特性

暂无产品特性。

RB058L150DDTE25-HXY应用领域

暂无应用领域。

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