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RB058L-60DDTE25-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RB058L-60DDTE25-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的电源整流、极性保护及高频开关电路中, 能够在紧凑空间内提供稳定可靠的性能表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

190

货期

现货

RB058L-60DDTE25-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存190

RB058L-60DDTE25-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的电源整流、极性保护及高频开关电路中, 能够在紧凑空间内提供稳定可靠的性能表现。

RB058L-60DDTE25-HXY特性

暂无产品特性。

RB058L-60DDTE25-HXY应用领域

暂无应用领域。

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