RB058L-60DDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RB058L-60DDTE25-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的电源整流、极性保护及高频开关电路中, 能够在紧凑空间内提供稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
190
货期
现货
RB058L-60DDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 190 |
RB058L-60DDTE25-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的电源整流、极性保护及高频开关电路中, 能够在紧凑空间内提供稳定可靠的性能表现。
RB058L-60DDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RB058L-60DDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
