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RB056LAM-40TR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB056LAM-40TR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA, 体现了良好的阻断特性。 由于具备低VF和快速恢复能力, 适用于电源整流、低压直流转换、电池极性保护以及高频开关电路中的续流路径, 在注重效率与空间布局的电子系统中可提供稳定可靠的运行表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

170

货期

现货

RB056LAM-40TR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存170

RB056LAM-40TR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA, 体现了良好的阻断特性。 由于具备低VF和快速恢复能力, 适用于电源整流、低压直流转换、电池极性保护以及高频开关电路中的续流路径, 在注重效率与空间布局的电子系统中可提供稳定可靠的运行表现。

RB056LAM-40TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB056LAM-40TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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