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RB055LAM-60TFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB055LAM-60TFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RB055LAM-60TFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB055LAM-60TFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。

RB055LAM-60TFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RB055LAM-60TFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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