RB050LAM-40TR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RB050LAM-40TR-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)为40V。 其典型正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的反向截止性能。 该器件适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备的极性保护以及各类对效率和热管理有要求的电子电路中, 凭借低VF和快速响应特性, 有助于提升系统整体运行效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RB050LAM-40TR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RB050LAM-40TR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)为40V。 其典型正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的反向截止性能。 该器件适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备的极性保护以及各类对效率和热管理有要求的电子电路中, 凭借低VF和快速响应特性, 有助于提升系统整体运行效率。
RB050LAM-40TR-HXY特性
暂无产品特性。
RB050LAM-40TR-HXY应用领域
暂无应用领域。
