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RB050LAM-40TR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RB050LAM-40TR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)为40V。 其典型正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的反向截止性能。 该器件适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备的极性保护以及各类对效率和热管理有要求的电子电路中, 凭借低VF和快速响应特性, 有助于提升系统整体运行效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RB050LAM-40TR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RB050LAM-40TR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)为40V。 其典型正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的反向截止性能。 该器件适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备的极性保护以及各类对效率和热管理有要求的电子电路中, 凭借低VF和快速响应特性, 有助于提升系统整体运行效率。

RB050LAM-40TR-HXY特性

暂无产品特性。

RB050LAM-40TR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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