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R82EC4100DQ70J
IC

插件, P=5mm

可供量大可议

R82EC4100DQ70J

由金属化聚酯薄膜(卷绕或堆叠技术)制成, 径向引线为镀锡线。 径向引线通过电焊连接到电容器绕组端部的接触金属层。 电容器采用热固性树脂封装在符合UL 94 V 0要求的材料盒中。 汽车级器件满足汽车电子委员会严格的AEC Q200认证要求。

品牌

KEMET

封装

插件, P=5mm

库存

3

货期

现货

R82EC4100DQ70J参数

封装插件, P=5mm
品牌KEMET(基美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类薄膜电容
库存3

R82EC4100DQ70J概述

由金属化聚酯薄膜(卷绕或堆叠技术)制成, 径向引线为镀锡线。 径向引线通过电焊连接到电容器绕组端部的接触金属层。 电容器采用热固性树脂封装在符合UL 94 V 0要求的材料盒中。 汽车级器件满足汽车电子委员会严格的AEC Q200认证要求。

R82EC4100DQ70J特性

暂无产品特性。

R82EC4100DQ70J应用领域

暂无应用领域。

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