R8008ANX
IC
TO-220F
可供量大可议
R8008ANX
TO220F； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-220F
库存
95
货期
现货
R8008ANX参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
R8008ANX概述
TO220F； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
R8008ANX特性
暂无产品特性。
R8008ANX应用领域
暂无应用领域。