R6511KNXC7G-HXY

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至260mΩ， 有助于减少导通损耗并提升系统效率。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定的栅极驱动控制， 增强开关可靠性。 基于碳化硅半导体材料， 具备优异的高温工作能力、高开关频率特性和低开关损耗。 适用于高功率密度电源转换系统， 如高效开关电源、直流-直流变换器、不间断电源模块及可再生能源发电中的逆变装置， 适合在高热应力与高频运行条件下稳定工作的应用场景。