R6511KND3TL1-HXY

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）， 导通电阻为260mΩ， 有助于降低导通损耗， 提升系统能效。 栅源电压范围为-5V至+16V， 确保器件在驱动信号下的稳定关断与导通。 依托碳化硅材料的高耐压与高热导率特性， 该器件支持高频开关操作， 具备优异的热稳定性和耐久性。 典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、光伏逆变单元、高密度电源模块及高压直流变换装置， 适用于对转换效率和功率密度有较高需求的电力电子设计场景。